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本发明公开了一种存储元件的制造方法，包括以下步骤：提供衬底；于衬底上形成多个半导体鳍状结构；每一半导体鳍状结构包括第一掺杂区与基体区，第一掺杂区位于基体区上，以及相邻两个半导体鳍状结构之间具有沟道；于半导体鳍状结构的基体区与沟道底部的衬底中...
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