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本发明描述了在衬底中制造密封微通道的方法和装置。该方法包括在衬底区域上形成薄膜层。在形成所述薄膜层后，在所述薄膜层内沿着一个或多个所期望的微通道的尺寸方向形成周期排列的入口窗口。在形成所述入口窗口后，在所述衬底的下层内形成所述一个或多个微通...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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