用于在衬底内制造密封微通道的方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术描述了在衬底中制造密封微通道的方法和装置。该方法包括在衬底区域上形成薄膜层。在形成所述薄膜层后，在所述薄膜层内沿着一个或多个所期望的微通道的尺寸方向形成周期排列的入口窗口。在形成所述入口窗口后，在所述衬底的下层内形成所述一个或多个微通道。最后，密封所述一个或多个微通道，从而封闭沿着所期望的微通道的尺寸方向的所述一个或多个入口窗口。因此，该方法适合于在例如ＲＦ微系统、流体微系统和生物流体应用的领域中用于微机电系统的快速成型。此外，该方法可以进行集成电路的快速成型。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种方法，包括：在衬底的区域上，形成薄膜层；在形成所述薄膜层后，在所述薄膜层内形成周期排列的入口孔／入口窗口；在形成所述入口窗口后，在所述衬底的下面区域形成一个或多个微通道；以及在形成所述微通道后，将所述一个 或多个微通道密封。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：保罗怀尔，杰里米罗利特，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]