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离心分离牺牲层工艺，包括以下步骤：对基片进行清洗；牺牲层涂覆；进行第一次旋涂光刻胶；进行第一次光刻；采用丙酮去除光刻胶层；进行第二次旋涂光刻胶；进行第二次光刻；显影去除牺牲层，从而在显影液形成膜桥和悬臂梁结构；进行离心分离，离心机的转速为１...
该专利属于中国科学院光电技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院光电技术研究所授权不得商用。

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