一种离心分离牺牲层工艺制造技术

技术编号:1323454 阅读:174 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
离心分离牺牲层工艺,包括以下步骤:对基片进行清洗;牺牲层涂覆;进行第一次旋涂光刻胶;进行第一次光刻;采用丙酮去除光刻胶层;进行第二次旋涂光刻胶;进行第二次光刻;显影去除牺牲层,从而在显影液形成膜桥和悬臂梁结构;进行离心分离,离心机的转速为1400rpm-1600rpm,去除基片表面的液体,使微结构得到释放。本发明专利技术利用旋转时产生的离心力,来克服液体干化过程中对驱动结构产生向下的表面张力,通过控制离心机的转速,将离心力控制在既克服下拉的表面张力,同时又不破坏悬臂梁或膜桥等微结构。本发明专利技术可以制备出结构完好悬臂梁和膜桥等微机械结构,方法简单易行,设备要求不高,低成本,时间短,成品率高,具有很高的实用价值。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种离心分离牺牲层工艺,其特征在于具体步骤如下:(1)对基片进行清洗;(2)牺牲层涂覆;在基片上涂覆牺牲层,首先,在基片上涂增黏剂;然后,旋涂聚酰亚胺牺牲层后烘干;(3)第一次旋涂光刻胶;在聚酰亚胺牺 牲层上涂覆光刻胶层;(4)进行第一次光刻;在所述的光刻胶层上采用掩膜版光刻出悬臂梁或膜桥的锚位图形;(5)采用丙酮去除光刻胶层;(6)进行第二次旋涂光刻胶;在聚酰亚胺牺牲层上再涂覆一层光刻胶; (7)进行第二次光刻;在第二次旋...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:赵泽宇侯得胜张万里蒋洪川谌贵辉
申请(专利权)人:中国科学院光电技术研究所
类型:发明
国别省市:90[中国|成都]

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