【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种离心分离牺牲层工艺,其特征在于具体步骤如下:(1)对基片进行清洗;(2)牺牲层涂覆;在基片上涂覆牺牲层,首先,在基片上涂增黏剂;然后,旋涂聚酰亚胺牺牲层后烘干;(3)第一次旋涂光刻胶;在聚酰亚胺牺 牲层上涂覆光刻胶层;(4)进行第一次光刻;在所述的光刻胶层上采用掩膜版光刻出悬臂梁或膜桥的锚位图形;(5)采用丙酮去除光刻胶层;(6)进行第二次旋涂光刻胶;在聚酰亚胺牺牲层上再涂覆一层光刻胶; (7)进行第 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:赵泽宇,侯得胜,张万里,蒋洪川,谌贵辉,
申请(专利权)人:中国科学院光电技术研究所,
类型:发明
国别省市:90[中国|成都]
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