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一种形成半导体集成电路(IC)的方法，该半导体IC在不考虑在IC的不同区中具有不同图案密度的情况下具有基本相等的栅极高度，该方法包括：提供在IC的第一区中具有第一图案密度和在IC的第二区中具有第二图案密度的衬底；在衬底之上形成第一多晶硅层，...
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