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本发明公开了一种制作NiGeSn材料的方法，所述方法是首先提供Ge1-xSnx层材料做为初始衬底，再在Ge1-xSnx层表面生长金属插入层，接着在金属插入层表面生长Ni金属层；然后进行快速退火处理：以25～75℃/秒的升温速率升温至300～...
该专利属于上海工程技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海工程技术大学授权不得商用。

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