一种制作NiGeSn材料的方法技术

本发明专利技术公开了一种制作NiGeSn材料的方法，所述方法是首先提供Ge1-xSnx层材料做为初始衬底，再在Ge1-xSnx层表面生长金属插入层，接着在金属插入层表面生长Ni金属层；然后进行快速退火处理：以25～75℃/秒的升温速率升温至300～600℃，保温20～120秒后，在100～200秒时间内冷却至室温，最后采用化学腐蚀法去除金属插入层和未反应的金属Ni，即得到NiGeSn材料。本发明专利技术方法具有工艺简单，易于工业化实施等优点；所生成的NiGeSn材料连续、均一、平整，可满足作为晶体管器件接触材料的应用要求，并有利于提高晶体管器件的电性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是涉及，属于材料制备

技术介绍
近年来，和传统硅材料同属于四族元素的锗锡合金(GeSn)，因其独特的属性，受到了研究人员极大的关注。在晶体管沟道区域，GeSn因其具有高的载流子迀移率，成为高迀移率MOSFET器件研究的热点，例如:通过在GeSn沟道中引入高压应变来提高空穴迀移率，锗锡量子阱器件展现了优异电学性能；此外，在晶体管源漏区域，GeSn因其晶格常数大于锗(Ge)，可以引入GeSn作为Ge沟道晶体管单轴压缩应变的压力源，来进一步提升Ge沟道晶体管的载流子迀移率。镍锗锡合金(NiGeSn)是在锗锡合金(GeSn)的基础上发展而来的又一种新型的高迀移率材料，是未来理想的晶体管材料。目前，各国的研究人员对镍锗锡材料的性质，例如:Ni和GeSn合金反应中的Sn原子扩散性质、NiGeSn的电学性质等方面进行了广泛的研究。关于NiGeSn的制备，目前通常是直接在GeSn样品上生长出Ni金属薄膜层，然后进行退火处理从而制得NiGeSn。但是，采用这种方法制备NiGeSn的过程中，在Ni与GeSn反应时，由于Ni与Ge反应速度过快，且Sn原子的热稳定性差，不容易形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作NiGeSn材料的方法，其特征在于：所述方法是首先提供Ge1‑xSnx层材料做为初始衬底，其中：0.01≤x≤0.12；再在Ge1‑xSnx层表面生长金属插入层；接着在金属插入层表面生长Ni金属层；然后进行快速退火处理：以25～75℃/秒的升温速率升温至300～600℃，保温20～120秒后，在100～200秒时间内冷却至室温，使Ni金属穿过金属插入层与Ge1‑xSnx层发生反应生成NiGe1‑xSnx层，其中：0.01≤x≤0.12；最后采用化学腐蚀法去除金属插入层和未反应的金属Ni，即得到NiGeSn材料。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：平云霞，孟骁然，
申请(专利权)人：上海工程技术大学，
类型：发明
国别省市：上海;31