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本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底；在部分衬底上形成第一半导体层，在衬底及第一半导体层上形成第二半导体层，衬底上形成有第一隔离；以第一半导体层之上的第二半导体层为有源区形成器件结构；在第一半导体层之上的第二半导体层中...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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