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本发明涉及制造半导体器件的方法。本发明实现半导体器件的性能上的改善。在形成于位于存储器形成区中的半导体衬底的主表面上并且具有内部电荷存储部的第一绝缘膜上并且在形成于位于主电路形成区中的所述半导体衬底的所述主表面上的第二绝缘膜上，形成导电膜。...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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