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一种U型FinFET与非门结构及其制造方法，包括：衬底(100)；第一、第二、第三鳍片(210、220、230)，所述第一、第二、第三鳍片位于衬底(100)上方，其下半部分被字线包围，分别形成第一、第二、第三沟道区；所述字线位于所述第一、第...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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