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本发明公开了一种高压半导体元件。高压半导体元件包括一P型基板、一高压N型阱(HVNW)、一第一P型阱、一漂移区(drift region)以及一P型掺杂层。高压N型阱形成于P型基板中。第一P型阱形成于高压N型阱中，第一P型阱的一底部相距P型...
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