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半导体存储器件及其操作方法技术
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文档序号:12857567
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一种操作方法包括在施加第一通过电压至多个字线时,使单元存储串之中的未选中单元存储串的沟道区偏置至初始电压;使未选中单元存储串的沟道区浮置;在沟道区的浮置期间将第一通过电压增加至第二通过电压;以及从单元存储串之中的选中单元存储串的选中存储器单...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。
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