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本发明公开了一种用于制作嵌入式锗硅的方法。通过该方法，可简化现有工艺，并能够获得良好、可控的应力层。该方法包括：在衬底上形成隔离结构；刻蚀所述衬底，以去除隔离结构之间的衬底材料；形成刻蚀停止层；在刻蚀停止层上形成第一半导体层；在第一半导体层...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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