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半导体装置包括：半导体衬底，具有第一面、及第二面；第一半导体层，设置在半导体衬底的第一面侧；第二半导体层，设置在第一半导体层的第二面侧；第三半导体层，设置在第二半导体层的第二面侧；栅极层，设置在半导体衬底内部，在第一方向延伸，在第二方向上并...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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