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本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。提供了一种具有提高的可靠性的半导体器件，其中通过在制成于半导体衬底中的沟槽中的栅极绝缘膜形成用于沟槽-栅极场效应晶体管的栅极电极。在邻近所述沟槽的区域中，所述栅极电极的上表面位于比半导体衬底的上表面更低...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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