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三维存储装置制造方法及图纸
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文档序号:12833982
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本发明公开了一种三维存储装置。三维存储装置包括存储元件区、第一阶梯结构、第二阶梯结构、第一导电条以及第二导电条。存储元件区包括第一叠层结构以及第二叠层结构。第一叠层结构包括第一半导体条,第二叠层结构包括第二半导体条。第一阶梯结构位于存储元件...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
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