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本发明是有关于一种晶体管装置及记忆装置及晶体管装置的制造方法。该晶体管装置包括跨置导体，晶体管具有栅极、通道及源极/漏极端，跨置导体设于源极/漏极端，电路连接于跨置导体，以施加一偏压，此偏压对被捕捉于绝缘材料内的电荷产生补偿倾向。...
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