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本发明涉及一种高导热氮化硅陶瓷的制备方法，首先对Si3N4粉进行热处理和酸洗处理，然后配制Si3N4浆料，用流延工艺制备Si3N4薄层，对薄层切割叠层后得到多孔的氮化硅粉预制体。然后采用高纯硅粉对预制体进行液硅渗透，得到致密的Si3N4/S...
该专利属于西北工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过西北工业大学授权不得商用。

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