下载功率晶体管及其结终端结构的技术资料

文档序号:12580913

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本发明涉及一种功率晶体管的结终端结构,形成于功率晶体管的有源区外围,结终端结构包括:衬底;形成于衬底上且由内向外依次设置的过渡场限环、场限环和截止环;以及分压保护结构;分压保护结构中的栅氧化层形成于各掺杂区表面;场氧化层和介质层形成于各掺杂...
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