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本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体器件的制备方法，包括如下步骤：提供一衬底；于衬底上方形成栅氧化层和覆盖栅氧化层的上表面的栅极结构，采用低频电场能量小于200W的SiN制程形成氮化硅层，以将衬底暴露的表面以及栅极结构的上表面及...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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