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在此公开一种结合有氢量减少的含硅层的金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法。所述薄膜晶体管可包括基板、金属氧化物半导体层、基本不含氢的沟道接合面层以及所述沟道接合面层上形成的含硅的覆盖层。用于制造薄膜晶体管的方法可以包括：将金属氧化物半导体层沉积...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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