温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种嵌入式闪存结构及其制备方法，首先提供一制备有第一凸起结构和第二凸起结构的硅衬底，并于硅衬底的凸起结构上分别刻蚀形成第一通孔和第二通孔，于第一通孔的侧壁制备氧化层，于第二通孔的侧壁制备栅氧化层，然后在...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。