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本发明提出一种栅氧化层缺陷的分析方法，其步骤包括：平面找到目标所在区域并标记；裂片，使样品断面的截面到达目标区域附近；将样品竖直放入FIB内使已加工的截面向上；在样品硅衬底内切割，制备样品的第一切割面；取出样品，进行硅腐蚀；将样品再次竖直放...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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