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本发明提供一种半导体器件，抑制IE型沟槽栅IGBT的伴随单元收缩产生的栅极电容的增加，防止开关损失的劣化。单元形成区域由线状有源单元区域(LCa)、线状空穴集电极单元区域(LCc)以及它们之间的线状无源单元区域(LCi)构成。而且，使夹持线...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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