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非易失性半导体存储装置与写入方法制造方法及图纸
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文档序号:12405146
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本发明涉及一种非易失性半导体存储装置与写入方法。该非易失性半导体存储装置包括控制处理器、写入控制器、电压产生电路以及切换电路。控制处理器用以产生并输出一控制数据并且实施一程序码以写入数据,其中数据包括一字线指定指令以及一电压源指定数据。写入...
该专利属于力晶科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过力晶科技股份有限公司授权不得商用。
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