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本发明是有关于一种记忆元件及其制造方法。该记忆元件的制造方法，包括以罩幕层做为植入罩幕，进行离子植入工艺，以在衬底中形成第一埋入式掺杂区与第二埋入式掺杂区。第一埋入式掺杂区在第一方向延伸，通过所述控制栅极，电性连接控制栅极两侧的第一掺杂区、...
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