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本发明提供一种芯片封装方法,包括以下步骤:S1:提供一载体,在所述载体表面形成粘合层;S2:在所述粘合层表面形成第一介质层,并在所述第一介质层中形成若干与半导体芯片电性引出所对应的第一通孔;S3:将半导体芯片正面朝下附着于所述第一介质层表面...该专利属于中芯长电半导体(江阴)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯长电半导体(江阴)有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种芯片封装方法,包括以下步骤:S1:提供一载体,在所述载体表面形成粘合层;S2:在所述粘合层表面形成第一介质层,并在所述第一介质层中形成若干与半导体芯片电性引出所对应的第一通孔;S3:将半导体芯片正面朝下附着于所述第一介质层表面...