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非易失性半导体存储装置制造方法及图纸
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下载非易失性半导体存储装置的技术资料
文档序号:12101013
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本发明提供一种使动作可靠性提高的非易失性半导体存储装置。实施方式的该装置包括:存储单元阵列、电压产生电路以及控制电路;其中若至少第1数量个存储单元在选择存储单元和半导体基板之间,电压产生电路供应写入电压到选择存储单元,供应低于写入电压的第1...
该专利属于株式会社东芝所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社东芝授权不得商用。
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