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本发明是关于一种存储装置，包括衬底、井区、隧穿介电层、第一导体层、隔离结构以及阻障层。井区位于衬底中，隧穿介电层位于井区上，第一导体层位于隧穿介电层上，隔离结构位于第一导体层、隧穿介电层、井区以及衬底中，其中隔离结构与井区之间具有阻障层。本...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。

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