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本发明公开了一种提高芯片去层次时均匀度的方法，通过改变目标位置在研磨样品中的位置，采用将补偿芯片与失效芯片样品相组合拼接的方法，一起构成使失效芯片边缘的目标位置处于底座芯片研磨中心位置的研磨样品，以使失效芯片的目标位置区域与补偿芯片之间在研...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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