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本发明提供了晶体管的应变引发方案。晶体管器件包括设置在半导体衬底的沟道区上方的栅极结构。源极/漏极凹槽沿着栅极结构的侧面布置在半导体衬底中。掺杂的硅锗(SiGe)区设置在源极/漏极凹槽内并且具有与沟道的掺杂类型相反的掺杂类型。未掺杂的SiG...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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