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一种半导体器件，其包括：半导体衬底；多层接线层，形成在所述半导体衬底之上；第一绝缘膜，形成在所述多层接线层之上；焊盘，形成在所述第一绝缘膜上并且由层积膜形成，所述层积膜包括第一金属膜、形成在所述第一金属膜之上的第二金属膜、以及形成在所述第二...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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