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本发明描述了纳米尺度模板结构上的Ⅲ族‑N晶体管。Ⅲ‑N半导体沟道形成在Ⅲ‑N过渡层上，Ⅲ‑N过渡层形成在诸如鳍状物侧壁的硅模板结构的(111)或(110)表面上。在实施例中，硅鳍状物具有可与Ⅲ‑N外延膜厚度相比拟的宽度，以实现更兼容的晶种层...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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