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本发明是有关于一种非挥发性记忆体及其制造方法。此非挥发性记忆体包括衬底、穿隧介电层、浮置栅极、多个保护层、控制栅极以及栅间介电层。衬底具有主动区。穿隧介电层配置于主动区中的衬底的表面上。浮置栅极配置于穿隧介电层上。多个保护层分别配置于浮置栅...
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