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本发明公开了一种电容式超声传感器，包括：低阻硅衬底；在低阻硅衬底上形成的氧化硅层；于氧化硅层中形成的二维空腔阵列结构；在二维空腔阵列结构之上形成的振膜；以及在振膜上沉积金属铝形成的上电极，该上电极为图形阵列，并且上电极图形阵列中的图形与二维...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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