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非易失性半导体存储装置及其制造方法制造方法及图纸
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文档序号:11316436
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根据一个实施方式,可提供一种非易失性半导体存储装置。多个元件分离用绝缘体在所述半导体基板的表面区域中形成沿着所述半导体基板的表面延伸的被划分的多个有源区。将隧道绝缘膜设在所述有源区上。将浮置栅电极设在所述隧道绝缘膜上。将栅间绝缘膜设在所述浮...
该专利属于株式会社东芝所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社东芝授权不得商用。
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