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本发明公开了一种晶圆可接受性测试的方法，述方法包括：在所述第一梳状金属线上施加高电压，同时在所述第二梳状金属线上施加中电压，并保持全部的所述多晶硅接地；若测得所述多晶硅的电流超出规格，则表明是所述接触孔和所述多晶硅之间存在泄漏；若测得所述多...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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