温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及具有衬底通孔结构的器件及其形成方法。本发明的器件包括：位于半导体衬底上的第一介电层、形成在第一介电层中的栅电极、以及穿透第一介电层并延伸至半导体衬底内的衬底通孔（TSV）结构。TSV结构包括导电层、环绕导电层的扩散阻挡层以及环绕扩...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。