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本发明提供了一种具有源极/漏极应力源的集成电路结构，包括：栅叠件，位于半导体衬底上方；以及硅锗区，延伸至半导体衬底内并且与栅叠件邻近。硅锗区具有顶面，并且顶面的中心部分从顶面的边缘部分凹陷从而形成凹槽。边缘部分位于中心部分的相对两侧。本发明...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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