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具有3D沟道的半导体器件及其制造方法技术
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文档序号:11164673
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本发明提供一种半导体器件,其包括具有在第一方向上纵向对准的第一鳍、第二鳍和第三鳍的基板。第一沟槽在第一鳍和第二鳍之间延伸,第二沟槽在第二鳍和第三鳍之间延伸。场绝缘材料的第一部分设置在第一沟槽中,场绝缘材料的第二部分设置在第二沟槽中。场绝缘材...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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