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本发明公开了一种半导体结构的双重图案工艺方法。首先，依序沉积一第一层、一第二层、以及一第三层。接着在第三层上形成一光刻胶层，并将所述光刻胶层图形化成一图形化第一光刻胶，再将一氧化层沉积于其上。所述氧化层会被刻蚀成用来构成一第一图案的间隙壁，...
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