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本发明提供了一种沟槽器件的制作方法，进行化学机械抛光直至外延层与阻止层的顶面齐平为止，然后测量半导体衬底上方的阻止层的实际厚度，并根据半导体衬底上方的阻止层的实际厚度刻蚀沟槽内的外延层，直至使外延层与半导体衬底顶面齐平，该方法既可以去除高于...
该专利属于成都士兰半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都士兰半导体制造有限公司授权不得商用。

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