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本发明公开了一种用于制备氮化栅极介质层的装置及方法，通过对DPN工艺腔增设相配套的冷却单元，可在DPN工艺腔内部或外部将硅片冷却到-100～0℃，并在制备氮化栅极介质层时的DPN工艺前，对硅片进行冷却，使所述硅片可在低于室温的工艺温度下进行...
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