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本发明公开了一种使用NiTi合金外延生长NiGe材料的方法，所述方法是首先在锗衬底表面沉积Ni1-xTix合金层，其中的0.1≤x≤0.6；然后进行快速退火处理：以30～50℃/秒的升温速率升温至300～500℃，保温20～120秒后，在1...
该专利属于上海工程技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海工程技术大学授权不得商用。

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