一种使用NiTi合金外延生长NiGe材料的方法技术

本发明专利技术公开了一种使用NiTi合金外延生长NiGe材料的方法，所述方法是首先在锗衬底表面沉积Ni1-xTix合金层，其中的0.1≤x≤0.6；然后进行快速退火处理：以30～50℃/秒的升温速率升温至300～500℃，保温20～120秒后，在115～200秒时间内冷却至室温；采用化学腐蚀法选择性去除最外层：NiTiGe混合合金层，即得到位于锗衬底表面的外延NiGe材料。本发明专利技术方法具有工艺简单，易于工业化实施优点，所生成的NiGe材料连续、均一、平整，可满足作为晶体管器件接触材料的应用要求，并有利于提高晶体管器件的电性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是涉及一种使用NiTi合金外延生长NiGe材料的方法，属于材料制备

技术介绍
传统晶体管的源漏区域，半导体和金属电极之间直接接触，接触电阻很大，形成的肖特基势垒很高，从而影响了器件的性能。将金属与硅进行反应生成的金属硅化物用作接触材料，可以大幅度降低接触电阻和肖特基势垒，因而得到了广泛应用。金属硅化物的金属元素历经了从钛到钴，再到镍的发展过程。镍的硅化物凭借其优异的性能及良好的加工工艺获得了广泛应用。目前，英特尔公司(简写为：Intel)和超微半导体公司(简写为：AMD)等厂家生产的金属-氧化层-半导体场效晶体管，简称金氧半场效晶体管(英文名：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，英文缩写为：MOSFET)，在其源漏区域，都采用了镍硅合金作为接触材料。随着半导体材料及工艺的进步，锗(Ge)作为一种新型的高迁移率材料，对硅材料作了重要补充，这一方面已在p型-MOSFET器件的制造应用上得到了证明。同样，锗纳米本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种使用NiTi合金外延生长NiGe材料的方法，其特征在于：首先在锗衬底表面沉积Ni1‑xTix合金层，其中的0.1≤x≤0.6；然后进行快速退火处理：以30～50℃/秒的升温速率升温至300～500℃，保温20～120秒后，在115～200秒时间内冷却至室温；采用化学腐蚀法选择性去除最外层：NiTiGe混合合金层，即得到位于锗衬底表面的外延NiGe材料。

【技术特征摘要】
1.一种使用NiTi合金外延生长NiGe材料的方法，其特征在于：首先在锗衬底表面沉
积Ni1-xTix合金层，其中的0.1≤x≤0.6；然后进行快速退火处理：以30～50℃/秒的升温速
率升温至300～500℃，保温20～120秒后，在115～200秒时间内冷却至室温；采用化学腐
蚀法选择性去除最外层：NiTiGe混合合金层，即得到位于锗衬底表面的外延...

【专利技术属性】
技术研发人员：平云霞，侯春雷，
申请(专利权)人：上海工程技术大学，
类型：发明
国别省市：上海;31