下载多芯片结构及其形成方法的技术资料

文档序号:11076827

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本发明提供了一种器件,包括堆叠在一起的第一芯片和第二芯片以形成多芯片结构,其中,多个芯片结构嵌入在封装层内。该器件还包括形成在封装层的第一侧的顶面上的重分布层,其中,重分布层连接至第一芯片的有源电路和第二芯片的有源电路,并且重分布层延伸超出...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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