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当对多层膜进行蚀刻时，能够抑制弓形并进行蚀刻。使用包含HBr气体和C4F8气体的处理气体，多次执行等离子体蚀刻，由此，进行从SiN层(350)到叠层膜(340)逐渐形成凹部的蚀刻，此时，在规定的时刻，向处理气体中以规定流量比添加含硼气体，由...
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