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电平转换器制造技术
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文档序号:11032669
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本发明涉及电平转换器。一种电平转换器,其包括高击穿电压第一和第二PMOS晶体管;高击穿电压第一和第二抑制NMOS晶体管,该高击穿电压第一和第二抑制NMOS晶体管具有分别被供应有第一和第二控制信号的栅极;低击穿电压第一和第二NMOS晶体管,该...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。
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