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本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，包括衬底、衬底上的栅极侧墙、衬底中的源漏区、以及栅极堆叠，其中，栅极堆叠包括栅极侧墙内侧衬底上的第一部分，以及在衬底中源漏区之间的沟道区内的第二部分。依照本发明的半导体器件及其制造方法，通过刻蚀沟道切...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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